文献

J-GLOBAL ID：200902137200826687   整理番号：96A0443790

GaInNAs 優れた高温性能をもつ長波長領域のレーザダイオード用の新材料

GaInNAs: A Novel Material for Long-Wavelength-Range Laser Diodes with Excellent High-Temperature Performance.

著者 (6件)： KONDOW M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  UOMI K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  NIWA A (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KITATANI T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  WATAHIKI S (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAZAWA Y (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35  号： 2B  ページ： 1273-1275  発行年： 1996年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In及びN含有量の調節でGaAsに格子整合させることができ,...

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0443790&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (6件)：

• ZAH, C. E. IEEE J.Quantum Electron. 1994, 30, 511
• KONDOW, M. Workbook 8th Int.Conf.Molecular Beam Epitaxy. 1994, 323
• SAKAI, S. Extd.Abstr.41st Spring Meating Jpn.Soc.Appl.Phys. 1994, 186
• SUEMUNE, I. Jpn.J.Appl.Phys. 1992, 31, L95
• KONDOW, M. Jpn.J.Appl.Phys. 1994, 33, L1056

タイトルに関連する用語 (4件)： GaInNAs ,  波長領域 ,  レーザダイオード ,  新材料