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J-GLOBAL ID：200902137231733601   整理番号：93A0603863

半絶縁性多結晶シリコンの物理的性質 III 多結晶Si/c-Si界面の赤外線診断

Physical properties of semi-insulating polycrystalline silicon. III. Infrared diagnosis of the polycrystalline-Si/c-Si interface.

著者 (5件)： BRUEESCH P (ABB Corporate Research, Baden-Daettwil, CHE) ,  STOCKMEIER T (ABB Corporate Research, Baden-Daettwil, CHE) ,  STUCKI F (ABB Corporate Research, Baden-Daettwil, CHE) ,  BUFFAT P A (Ecole Polytechnique Federale (EPFL), Lausanne, CHE) ,  LINDNER J K N (Univ. Dortmund, Dortmund, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 73  号： 11  ページ： 7701-7707  発行年： 1993年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 修正した減衰全反射構成に基づいて開発した赤外線診断法を用いて...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 半絶縁性 ,  多結晶シリコン ,  物理的性質 ,  多結晶Si ,  Si ,  界面 ,  赤外線 ,  診断