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J-GLOBAL ID：200902137319057290   整理番号：93A0876691

Creation of 3D patterns in Si by focused Ga-ion beam and anisotropic wet chemical etching.

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著者 (5件)：
CHEN W

CHEN W について

(Univ. Southern California, CA)

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CHEN P

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(Univ. Southern California, CA)

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MADHUKAR A

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(Univ. Southern California, CA)

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VISWANATHAN R

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(Univ. Southern California, CA)

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SO J

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(Univ. Southern California, CA)

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資料名：
Beam-Solid Interactions: Fundamentals and Applications  (Beam-Solid Interactions: Fundamentals and Applications)

Beam-Solid Interactions: Fundamentals and Applications について


ページ： 599-604  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930494  ISBN： 1-55899-174-3  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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Si

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