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J-GLOBAL ID：200902137331046580   整理番号：00A0641940

GaAs(001)上の単結晶Co2MnGeホイスラー合金膜のエピタキシャル成長と磁性

Epitaxial growth and magnetic properties of single-crystal Co2MnGe Heusler alloy films on GaAs(001).
著者 (3件)：
AMBROSE T

AMBROSE T について

(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)

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KREBS J J

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(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)

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PRINZ G A

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(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)

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資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 76  号： 22  ページ： 3280-3282  発行年： 2000年05月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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ヒ化ガリウム

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分類 (1件)：
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金属結晶の磁性 
(BM06040T)

金属結晶の磁性 について

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ホイスラー合金

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エピタキシャル成長

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磁性

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