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J-GLOBAL ID：200902137393722123   整理番号：95A0819826

SiCのドナーとアクセプタの水素不動態化

Hydrogen passivation of donors and acceptors in SiC.
著者 (4件)：
GENDRON F

GENDRON F について

(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)

Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA について

, 
PORTER L M

PORTER L M について

(North Carolina State Univ., North Carolina)

North Carolina State Univ., North Carolina について

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PORTE C

PORTE C について

(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)

Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA について

, 
BRINGUIER E

BRINGUIER E について

(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)

Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 67  号： 9  ページ： 1253-1255  発行年： 1995年08月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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6H-SiC結晶のドナー(N)とアクセプタ(Al,B)に対す...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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炭化ケイ素

炭化ケイ素 について

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分類 (2件)：
分類
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半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  金属・半導体のEPR 
(BM07022M)

金属・半導体のEPR について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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SiC

SiC について

, 
ドナー

ドナー について

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アクセプタ

アクセプタ について

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水素

水素 について

, 
不動態化

不動態化 について


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