ドープV<sub>2</sub>O<sub>3</sub>システムにおける構造と電気特性に対する急冷処理の効果

CHEN W; XU Q; CUI W Q

文献

J-GLOBAL ID：200902137712074113 整理番号：97A0304489

ドープV₂O₃システムにおける構造と電気特性に対する急冷処理の効果

Effects of quenching treatment on the structure and electrical property in doped V₂O₃ system.

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資料名：
巻： 32 号： 4 ページ： 1049-1053 発行年： 1997年02月15日
JST資料番号： B0722A ISSN： 0022-2461 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

金属-絶縁体遷移を示す金属(Cr,Al,Cu,Fe,Sn)ド...

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セラミック・磁器の性質 , 金属-絶縁体転移

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