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J-GLOBAL ID：200902137742033691   整理番号：02A0226000

半導体ナノホイスカ中の一次元ヘテロ構造

One-dimensional heterostructures in semiconductor nanowhiskers.

著者 (9件)： BJOERK M T (Lund Univ., Lund, SWE) ,  OHLSSON B J (Lund Univ., Lund, SWE) ,  SASS T (Lund Univ., Lund, SWE) ,  PERSSON A I (Lund Univ., Lund, SWE) ,  THELANDER C (Lund Univ., Lund, SWE) ,  MAGNUSSON M H (Lund Univ., Lund, SWE) ,  DEPPERT K (Lund Univ., Lund, SWE) ,  WALLENBERG L R (Lund Univ., Lund, SWE) ,  SAMUELSON L (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 6  ページ： 1058-1060  発行年： 2002年02月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(111)B基板上にAu粒子を堆積させ,化学ビームエ...

シソーラス用語： *ホイスカ ,...
準シソーラス用語： 化学ビームエピタクシー ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (2件)： ナノホイスカ ,  ヘテロ構造