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J-GLOBAL ID：200902137795740365   整理番号：00A0352107

溶液成長したシリコンナノワイアの厚さと方位の制御

Control of Thickness and Orientation of Solution-Grown Silicon Nanowires.

著者 (4件)： HOLMES J D (Univ. Texas, TX, USA) ,  JOHNSTON K P (Univ. Texas, TX, USA) ,  DOTY R C (Univ. Texas, TX, USA) ,  KORGEL B A (Univ. Texas, TX, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 287  号： 5457  ページ： 1471-1473  発行年： 2000年02月25日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種結晶として直径25Åのアルカンチオール被覆金ナノ結晶を使用...

シソーラス用語： *溶液成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

物質索引 (1件)： 1-ドデカンチオール

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶液成長 ,  シリコン ,  ナノワイア ,  方位