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J-GLOBAL ID：200902138241630971   整理番号：00A0147169

SON(Silicon On Nothing) ULSI時代のための新しいデバイス構造

SON(Silicon On Nothing). A NEW DEVICE ARCHITECTURE FOR THE ULSI ERA.
著者 (9件)：
JURCZAK M

JURCZAK M について

(Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL)

Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL について

, 
SKOTNICKI T

SKOTNICKI T について

(France Telecom, Meylan, FRA)

France Telecom, Meylan, FRA について

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PAOLI M

PAOLI M について

(France Telecom, Meylan, FRA)

France Telecom, Meylan, FRA について

, 
TORMEN B

TORMEN B について

(ST Microelectronics, Crolles, FRA)

ST Microelectronics, Crolles, FRA について

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REGOLINI J-L

REGOLINI J-L について

(France Telecom, Meylan, FRA)

France Telecom, Meylan, FRA について

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MORIN C

MORIN C について

(France Telecom, Meylan, FRA)

France Telecom, Meylan, FRA について

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SCHILTZ A

SCHILTZ A について

(France Telecom, Meylan, FRA)

France Telecom, Meylan, FRA について

, 
MARTINS J

MARTINS J について

(ST Microelectronics, Crolles, FRA)

ST Microelectronics, Crolles, FRA について

, 
GALVIER J

GALVIER J について

(France Telecom, Meylan, FRA)

France Telecom, Meylan, FRA について


資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)

Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology について


巻： 1999  ページ： 29-30  発行年： 1999年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ショートチャネル効果とドレイン誘起ベースリークをほぼ抑制でき...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*超LSI

超LSI について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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SON構造

SON構造 について

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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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SON

SON について

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ULSI

ULSI について

, 
デバイス構造

デバイス構造 について


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