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J-GLOBAL ID：200902138573282586   整理番号：96A0603823

2インチInP基板上に均一に形成した傾斜厚み接合型選択成長スポットサイズ変換機能を備えた1.3ミクロン帯半導体レーザ

1.3μm laser diodes with butt-jointed selectively grown spot-size converters uniformly fabricated on a 2in InP substrate.

著者 (9件)： OKAMOTO H (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  SUZAKI Y (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  TOHMORI Y (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  OKAMOTO M (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  KONDO Y (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  SAKAI Y (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  WADA M (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  NAKAO M (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  ITAYA Y (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 32  号： 12  ページ： 1099-1101  発行年： 1996年06月06日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2インチInP基板上に選択成長による傾斜厚み接合型のスポット...

シソーラス用語： 半導体レーザ ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： インチ ,  InP ,  厚み ,  選択成長 ,  スポットサイズ ,  半導体レーザ