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J-GLOBAL ID：200902138607852115   整理番号：97A0461657

イオン照射による6H-SiC(0001)Siの増速熱酸化膜の電気的特性

Electric properties of thermal oxide layer on 6H-SiC(0001)Si enhanced by ion-irradiation.

著者 (8件)： 米田知晃 (イオン工学研) ,  中田俊武 (イオン工学研) ,  梶山健二 (イオン工学研) ,  渡辺正則 (イオン工学研) ,  井上森雄 (イオン工学研) ,  北畠真 (松下電器産業) ,  出口正洋 (松下電器産業) ,  内田正雄 (松下電器産業)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 44th  号： 1  ページ： 293  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン照射 ,  6H-SiC ,  Si ,  増速 ,  熱酸化膜 ,  電気的特性