二つのフィールド低減層を用いた接合分離電力IC技術における1200V高圧側ラテラルMOSFET

文献

J-GLOBAL ID：200902138658587688 整理番号：93A0977170

1200V High-Side Lateral MOSFET in Junction-Isolated Power IC Technology Using Two Field-Reduction Layers.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0977170&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0977170&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19930580") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
ページ： 230-235 発行年： 1993年
JST資料番号： K19930580 ISBN： 0-7803-1314-3 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電力ICで低電圧制御回路としてCMOSやバイポーラデバイスを...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0977170&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19930580") }}

トランジスタ

, , ,

前のページに戻る