酸素イオンを照射したけい素を使った金属-絶縁体-半導体構造中の欠陥の研究

RAILKAR T A; BHORASKAR S V; DHOLE S D; BHORASKAR N V

文献

J-GLOBAL ID：200902138701870100 整理番号：93A0937337

酸素イオンを照射したけい素を使った金属-絶縁体-半導体構造中の欠陥の研究

Defect studies in oxygen-ion-irradiated silicon-based metal-insulator-semiconductor structures.

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資料名：
巻： 74 号： 7 ページ： 4343-4346 発行年： 1993年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

金-窒化けい素-けい素の金属-絶縁体-半導体(MIS)構造に...

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金属-絶縁体-半導体構造

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