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J-GLOBAL ID：200902139142619865   整理番号：01A0234028

高効率Ga_0.5In_0.5P/GaAs/Geの二重と三重接合太陽電池における最近の開発 次世代PV電池へのステップ

Recent developments in high-efficiency Ga_0.5In_0.5P/GaAs/Ge dual- and triple-junction solar cells. Steps to next-generation PV cells.

著者 (9件)： KARAM N H (Spectrolab, Inc., CA, USA) ,  KING R R (Spectrolab, Inc., CA, USA) ,  HADDAD M (Spectrolab, Inc., CA, USA) ,  ERMER J H (Spectrolab, Inc., CA, USA) ,  YOON H (Spectrolab, Inc., CA, USA) ,  COTAL H L (Spectrolab, Inc., CA, USA) ,  JOSLIN D E (Spectrolab, Inc., CA, USA) ,  KRUT D D (Spectrolab, Inc., CA, USA) ,  LILLINGTON D R (Spectrolab, Inc., CA, USA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 66  号： 1/4  ページ： 453-466  発行年： 2001年02月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge基板の二重接合Ga_0.5In<su...

シソーラス用語： エネルギー変換効率 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高効率 ,  GaAs ,  Ge ,  三重 ,  太陽電池 ,  開発 ,  次世代 ,  PV ,  電池