文献

J-GLOBAL ID：200902139192432219   整理番号：99A0248517

サファイア上に成長させたAl_xGa_1-xN膜からの室温紫外誘導放出

Room-temperature deep-ultraviolet-stimulated emission from Al_xGa_1-xN thin films grown on sapphire.

著者 (4件)： SCHMIDT T J (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  CHO Y-H (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SONG J J (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  YANG W (Honeywell Technol. Center, Minnesota)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 74  号： 2  ページ： 245-247  発行年： 1999年01月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタキシー法により成長させた標記薄膜を光励起す...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0248517&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア ,  成長 ,  室温 ,  誘導放出