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J-GLOBAL ID：200902139367364718   整理番号：99A0609559

Czochralski成長シリコンウエハ中の酸素析出物周辺における局所的格子歪の集束電子ビーム回折法による解析

Analysis of Local Lattice Strain Around Oxygen Precipitates in Czochralski-Grown Silicon Wafers Using Convergent Beam Electron Diffraction.

著者 (3件)： YONEMURA M (Sumitomo Metal Ind., Ltd., Amagasaki, JPN) ,  SUEOKA K (Sumitomo Metal Ind., Ltd., Amagasaki, JPN) ,  KAMEI K (Sumitomo Metal Ind., Ltd., Amagasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 6A  ページ： 3440-3447  発行年： 1999年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集束電子線回折における高次Laueゾーンパターンを解析し,C...

シソーラス用語： *収束電子回折 ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (15件)：

• (1) Y. Tomokiyo, S. Matsumura, T. Okuyama, T. Yasunaga, N. Kuwano and K. Oki: Ultramicroscopy 54 (1994) 276.
• (2) Y. Wakayama, Y.Takahashi and S. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5072.
• (3) M. Tanaka, M. Terauchi and T. Kaneyama: Convergent Beam Electron Diffraction (JEOL, Maruzen, Tokyo, 1993).
• (4) K. Sueoka, N. Ikeda, T. Yamamoto and S. Kobayashi: J. Appl. Phys. 74 (1993) 5437.
• (5) T. Abe, M. Ogirima and K. Taniguchi: Silicon Crystal and Doping (Maruzen, Tokyo, 1986).

タイトルに関連する用語 (10件)： 成長 ,  シリコンウエハ ,  酸素 ,  析出物 ,  周辺 ,  格子歪 ,  集束 ,  電子ビーム ,  回折 ,  解析