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J-GLOBAL ID：200902139381536742   整理番号：93A0921631

制限視野有機金属化学蒸着法によって成長させた新しい六角形ファセットGaAs/AlGaAsレーザ

Novel Hexagonal-Facet GaAs/AlGaAs Laser Grown by Selective Area Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

著者 (3件)： ANDO S (NTT Basic Research Lab., Tokyo) ,  KOBAYASHI N (NTT Basic Research Lab., Tokyo) ,  ANDO H (NTT Basic Research Lab., Tokyo)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 32  号： 9B  ページ： L1293-L1296  発行年： 1993年09月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (111)B基板表面に垂直な(110)側壁ファセットをもつG...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： リングキャビティモード

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 制限 ,  視野 ,  有機金属化学蒸着法 ,  成長 ,  六角形 ,  ファセット ,  GaAs ,  AlGaAsレーザ