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J-GLOBAL ID：200902139467106805   整理番号：99A0028399

歪Si/SiGe MOSFETにおける2次元正孔のサブバンド構造と移動度

Subband structure and mobility of two-dimensional holes in strained Si/SiGe MOSFET’s.
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著者 (3件)：
OBERHUBER R

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(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)

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ZANDLER G

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VOGL P

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(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)

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資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 58  号： 15  ページ： 9941-9948  発行年： 1998年10月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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SiGe基板上に形成したp型歪Si金属-酸化物-半導体電界効...
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ケイ素

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金属-絶縁体-半導体構造 
(BM03085X)

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正孔

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