文献

J-GLOBAL ID：200902139522395706   整理番号：01A0272593

改良原子価力場モデルを用いるウルツ鉱型III族窒化物四成分物質系における相分離領域の解析

Analysis of phase-separation region in wurtzite group III nitride quaternary material system using modified valence force field model.

著者 (5件)： TAKAYAMA T (Stanford Univ., CA, USA) ,  YURI M (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  ITOH K (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  BABA T (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  HARRIS J S JR (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 222  号： 1/2  ページ： 29-37  発行年： 2001年01月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III族(B,Al,Ga,In)窒化物四成分固溶体系はバンド...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： 四成分系

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0272593&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の物質の化学熱力学(混合系)  (CB02034Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： モデル ,  ウルツ鉱 ,  III族 ,  窒化物 ,  物質 ,  相分離 ,  解析