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J-GLOBAL ID：200902139708333271   整理番号：99A0390429

湿式酸化/アニールが熱酸化SiO₂/SiC MOS系の界面の性質およびMOSFETに及ぼす効果

Effects of Wet Oxidation/Anneal on Interface Properties of Thermally Oxidized SiO₂/SiC MOS System and MOSFET’s.

著者 (4件)： YANO H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KATAFUCHI F (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46  号： 3  ページ： 504-510  発行年： 1999年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-および6H-SiCについて,酸化とアニール時に,熱酸化...

シソーラス用語： *MOS構造 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 湿式酸化 ,  アニール ,  熱酸化 ,  SiO2 ,  SiC ,  MOS ,  界面 ,  性質 ,  MOSFET