アニールによるa-SiN<sub>x</sub>:H薄膜内のSi微結晶化

文献

J-GLOBAL ID：200902139863953367 整理番号：93A0649424

アニールによるa-SiN_x:H薄膜内のSi微結晶化

Crystallization of Si in a-SiN_x:H Films by Thermal Annealing.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0649424&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0649424&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 40th 号： Pt 2 ページ： 830 発行年： 1993年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

, , ,

前のページに戻る