CH<sub>4</sub>/H<sub>2</sub>反応性イオンエッチングによって起こる側壁損傷の電気的評価

文献

J-GLOBAL ID：200902139910026879 整理番号：98A0833229

CH₄/H₂反応性イオンエッチングによって起こる側壁損傷の電気的評価

Electrical Evaluation of Sidewall Damage Caused by CH₄/H₂ Reactive Ion Etching.

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資料名：
巻： 37 号： 8 ページ： 4624-4626 発行年： 1998年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

メタンと水素の混合ガスを使う反応性イオンエッチングによって側...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (16件)：

1) S. W. Pang, G. A. Lincoln, R. W. McClelland, P. D. DeGraff, M. W. Geis and W. J. Piacentini: J. Vac. Sci. Technol. B 1 (1983) 1334
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3) P. Collot and C. Gaonach: Semicond. Sci. Technol. 5 (1990) 237
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