193nm単層レジストに用いられる2-メチル-2-アダマンチル基の効力

TAKECHI S; TAKAHASHI M; KOTACHI A; NOZAKI K; YANO E; HANYU I

文献

J-GLOBAL ID：200902139957882927 整理番号：96A0613993

193nm単層レジストに用いられる2-メチル-2-アダマンチル基の効力

Impact of 2-Methyl-2-Adamantyl Group Used for 193-nm Single-Laser Resist.

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 9 号： 3 ページ： 475-487 発行年： 1996年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

アダマンチルメタクリレート(I)をベースにする標題レジストで...

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その他の高分子の反応 , アクリル樹脂 , 固体デバイス製造技術一般

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引用文献 (7件)：

1). Y. Kaimoto, K. Nozaki, S. Takechi, and N. Abe, Proc.SPIE, 1672,66(1992)
2). S. Takechi, Y. Kaimoto, K. Nozaki, and N. Abe, J. Photopolym. Sci. Technol., 5(3), 439(1992)
3). M. Takahashi, S. Takechi, K. Nozaki, Y. Kaimoto, and N. Abe, J. Photopolym. Sci. Technol., 7(1), 3 1(1994)
4). M. Takahashi, S. Takechi, Y. Kaimoto, K. Nozaki, and N. Abe, Proc. SPIE, 2438, 422 (1995)
5). S. Takechi, M. Takahashi, and I. Hanyu, INTERFACE'95 p43 (1995)

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