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J-GLOBAL ID：200902140006704393   整理番号：97A0775194

Ga₂S₃前駆物質を用いた多重源蒸着により作製したCe活性化SrS薄膜エレクトロルミネセンス素子

Ce-Activated SrS Thin Film Electroluminescent Devices Fabricated by Multi Source Deposition Using Ga₂S₃ Precursor.

著者 (5件)： INOUE Y (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  TANAKA K (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  OKAMOTO S (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI K (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  TAKIZAWA K (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 7A  ページ： 4335-4338  発行年： 1997年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記素子を製作した。本前駆体は,蛍燐光体膜内にGa元素を残す...

シソーラス用語： *ストロンチウム化合物 ,...
準シソーラス用語： TFEL【ルミネセンス】

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分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (11件)：

• 1) K. Onisawa, M. Fuyama, K. Taguchi, K. Tamura and A. Ono: J. Electrochem. Soc. 135 (1988) 2631.
• 2) S. Okamoto, T. Kuki and T. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 1672.
• 3) H. Ohnishi and T. Okuda: Dig. 1989 SID Int. Symp. (Society for Information Display, Baltimore, MD, 1989) p. 317.
• 4) T. Nire, T. Watanabe, N, Tsurumaki, A. Miyakoshi and S. Tanda: Proc. 4th Workshop on Electroluminescence, Tottori, 1988, Springer Proc. in Physics Vol. 38, (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 1989) p. 218.
• 5) Y. Chubachi and Z Aoyama: J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 2677.

タイトルに関連する用語 (9件)： 前駆物質 ,  多重 ,  蒸着 ,  作製 ,  Ce ,  活性化 ,  SRS ,  薄膜 ,  エレクトロルミネセンス素子