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J-GLOBAL ID:200902140143323593   整理番号:99A0675082

Si(001)上の原子レベルで完全なビスマス線

Atomically perfect bismuth lines on Si(001).
著者 (5件):
資料名:
巻: 59  号: 23  ページ: 14868-14871  発行年: 1999年06月15日 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Si(001)上に原子レベルで完全なビスマス線が,選択脱着過...
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分類 (1件):
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半導体の表面構造 
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