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J-GLOBAL ID：200902140143323593   整理番号：99A0675082

Si(001)上の原子レベルで完全なビスマス線

Atomically perfect bismuth lines on Si(001).

著者 (5件)： MIKI K (Oxford Univ., Oxford, GBR) ,  BOWLER D R (Oxford Univ., Oxford, GBR) ,  OWEN J H G (Oxford Univ., Oxford, GBR) ,  BRIGGS G A D (Oxford Univ., Oxford, GBR) ,  SAKAMOTO K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 59  号： 23  ページ： 14868-14871  発行年： 1999年06月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(001)上に原子レベルで完全なビスマス線が,選択脱着過...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  原子 ,  ビスマス