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J-GLOBAL ID：200902140208822347   整理番号：97A0257087

バルク,多結晶窒化ガリウムの低温合成

Low pressure synthesis of bulk, polycrystalline gallium nitride.

著者 (6件)： ARGOITIA A (Case Western Reserve Univ., Ohio) ,  HAYMAN C C (Case Western Reserve Univ., Ohio) ,  ANGUS J C (Case Western Reserve Univ., Ohio) ,  WANG L (Case Western Reserve Univ., Ohio) ,  DYCK J S (Case Western Reserve Univ., Ohio) ,  KASH K (Case Western Reserve Univ., Ohio)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 2  ページ： 179-181  発行年： 1997年01月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶GaNの厚膜を原子N(ECR源)と液体Gaの直接反応に...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： TEM【電顕】

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： バルク ,  多結晶 ,  窒化ガリウム ,  低温合成