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J-GLOBAL ID：200902140275565251   整理番号：00A0747121

プラズマ支援化学蒸着により合成した窒化ほう素炭素膜の電界放出特性

Field emission characteristics of boron carbon nitride films synthesized by plasma-assisted chemical vapor deposition.
著者 (2件)：
SUGINO T

SUGINO T について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について

, 
HIEDA H

HIEDA H について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について


資料名：
Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)

Diamond and Related Materials について


巻： 9  号： 3/6  ページ： 1233-1237  発行年： 2000年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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BCl3,CH4...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*蒸着膜

蒸着膜 について

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禁止帯

禁止帯 について


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分類 (3件)：
分類
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熱電子放出,電界放出 
(BM09020S)

熱電子放出,電界放出 について

,  その他の無機化合物の薄膜 
(BK14060A)

その他の無機化合物の薄膜 について

,  炭素とその化合物 
(YB02060D)

炭素とその化合物 について

物質索引 (1件)：
物質索引
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メタン

メタン について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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プラズマ支援化学蒸着

プラズマ支援化学蒸着 について

, 
窒化ほう素

窒化ほう素 について

, 
炭素膜

炭素膜 について

, 
電界放出

電界放出 について


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