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J-GLOBAL ID：200902140291155969   整理番号：96A0443695

金属-酸化物-半導体の大規模集積回路中のゲート酸化物欠陥の起源としての八面体構造の巨大析出物

Octahedral-Structured Gigantic Precipitates as the Origin of Gate-Oxide Defects in Metal-Oxide-Semiconductor Large-Scale-Integrated Circuits.

著者 (5件)： ITSUMI M (NTT, Kanagawa, JPN) ,  AKIYA H (NTT, Kanagawa, JPN) ,  UEKI T (NTT, Kanagawa, JPN) ,  TOMITA M (NTT, Tokyo, JPN) ,  YAMAWAKI M (NTT, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35  号： 2B  ページ： 812-817  発行年： 1996年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の酸化物欠陥をTEM及びEDXにより解析した。従来の結果...

シソーラス用語： Czochralski法 ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (34件)：

• NAKAJIMA, O. Ext.Abstr.(The 26th Spring Meeting, Mar.1979). Japan Soc.of Appl.Phys. 30p-R-1, 512
• ITSUMI, M. Ext.Abstr.(The 27th Spring Meeting, Mar.1980). Japan Soc.of Appl.Phys. 3p-E-1, 553
• ITSUMI, M. Appl.Phys.Lett. 1982, 40, 496
• KIYOSUMI, F. Oki Denki Kenkyu Kaihatu. 1982, 49, 25, 3, 25
• KIYOSUMI, F. Denshi-Tsushin Gakkai, Gijutsu Kenkyu Houkoku, SSD 83-66. 1983, 1

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化物 ,  大規模集積回路 ,  ゲート酸化物 ,  欠陥 ,  起源 ,  八面体 ,  析出物