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J-GLOBAL ID：200902140724545155   整理番号：98A0605041

シリコンウエーハにスパッタ法で製膜したパターニングしたアルミニウム薄膜の残留応力のX線測定

X-Ray Measurement of Residual Stress in Patterned Aluminum Thin Films Sputtered on Silicon Wafers.

著者 (4件)： TANAKA K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  AKINIWA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  INOUE K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHTA H (Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名： JSME International Journal. Series A. Solid Mechanics and Material Engineering (Japan Society of Mechanical Engineers)  (JSME International Journal. Series A. Solid Mechanics and Material Engineering (Japan Society of Mechanical Engineers))
巻： 41  号： 2  ページ： 290-296  発行年： 1998年04月 
JST資料番号： G0026B  ISSN： 1344-7912  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶多結晶の薄膜で,[111]繊維軸が膜面に垂直な繊維組織...

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,...
準シソーラス用語： 垂直応力

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分類 (1件)： 金属材料  (HC02020X)

引用文献 (11件)：

• NIX, W. D. Metal, Trans. 1989, 20A, 2217
• KORHONEN, M. A. Scripta Met. 1989, 23, 1449
• BARON, H. U. Metallkde, Z. 1988, 79, 2, 127
• TANAKA, K. J. Mater. Sci. 1996, 45, 945
• TANAKA, K. J. Mater. Sci. 1996, 45, 1138

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン ,  ウエーハ ,  スパッタ法 ,  製膜 ,  パターニング ,  アルミニウム ,  薄膜 ,  残留応力 ,  X線