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J-GLOBAL ID：200902140838782343   整理番号：01A0559307

光電子放出とKelvinプローブ法によるTPD/金属界面の電子構造の評価

Electronic structures of TPD/metal interfaces studied by photoemission and Kelvin probe method.

著者 (6件)： ITO E (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OJI H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HAYASHI N (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ISHII H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OUCHI Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKI K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 175/176  ページ： 407-411  発行年： 2001年05月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TPD(N,N′-ビス(3-メチルフェニル)-N,N′-ジフ...

シソーラス用語： *有機半導体 ,...

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分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： TPD

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電子放出 ,  Kelvinプローブ ,  TPD ,  界面 ,  電子構造 ,  評価