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J-GLOBAL ID：200902140959045338   整理番号：02A0179154

InAlN/(In)GaN上のパワーエレクトロニクス: レコード性能への展望

Power Electronics on InAlN/(In)GaN: Prospect for a Record Performance.

著者 (1件)： KUZMIK J (Inst. Electrical Engineering, Slovak Acad. Sci., Bratislava, SVK)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 22  号： 11  ページ： 510-512  発行年： 2001年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規なAlGaN/GaN半導体材料で作成された高電子移動度ト...

シソーラス用語： *HEMT ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAlN ,  GaN ,  パワーエレクトロニクス ,  レコード ,  展望