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J-GLOBAL ID：200902141083932850   整理番号：96A0928851

非リソグラフィーのナノワイヤアレイ:製作,物理,および素子応用

Nonlithographic Nano-Wire Arrays: Fabrication, Physics, and Device Applications.

著者 (6件)： ROUTKEVITCH D (Univ. Toronto, Ont., CAN) ,  TAGER A A (Univ. Toronto, Ont., CAN) ,  HARUYAMA J (Univ. Toronto, Ont., CAN) ,  ALMAWLAWI D (Univ. Toronto, Ont., CAN) ,  MOSKOVITS M (Univ. Toronto, Ont., CAN) ,  XU J M (Univ. Toronto, Ont., CAN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 43  号： 10  ページ： 1646-1658  発行年： 1996年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質陽極酸化アルミニウムの中に直接電着により形成した,リソ...

シソーラス用語： ナノメータ加工 ,...
準シソーラス用語： 陽極酸化

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： リソグラフィー ,  ナノワイヤアレイ ,  製作 ,  物理 ,  応用