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J-GLOBAL ID：200902141383718044   整理番号：98A0068728

シリコンウエハーの表面清浄化技術の最近の動向 シリコンウエハー表面有機汚染物の吸着挙動

Adsorption behavior of organic contaminations on the silicon wafer surface.

著者 (1件)： 高萩隆行 (広島大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 66  号： 12  ページ： 1311-1315  発行年： 1997年12月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： XPSとシリコン用の特殊な加熱脱離炉と濃縮装置を持ったGC...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

引用文献 (4件)：

• 1) SEMATECH Technology Transfer # 95052812A-TR, May 31, 1995.
• 2) T. Takahagi, I. Nagai, A. Ishitani, H. Kuroda and Y. Nagasawa: J. Appl. Phys. 64, 3516 (1988).
• 3) 高萩隆行,新高分子実験学 7,高分子の構造 (3) 分子分光法,高分子学会編,共立出版
• 4) T. Takahagi, S. Shingubara, H. Sakaue, K. Hoshino and H. Yashima: Jpn. Appl. Phys. 35, L818 (1996).

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコンウエハー ,  清浄化 ,  動向 ,  汚染物 ,  吸着 ,  挙動