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J-GLOBAL ID：200902141692547637   整理番号：02A0941346

C面およびM面GaN/AlGaN多重量子井戸の光ルミネセンスにおける分極の効果

Polarization effects in photoluminescence of C- and M-plane GaN/AlGaN multiple quantum wells.

著者 (9件)： KUOKSTIS E (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  CHEN C Q (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  GAEVSKI M E (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  KHAN M A (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  MARUSKA H P (Crystal Photonics, Inc., Florida) ,  HILL D W (Crystal Photonics, Inc., Florida) ,  CHOU M C (Crystal Photonics, Inc., Florida) ,  GALLAGHER J J (Crystal Photonics, Inc., Florida) ,  CHAI B (Crystal Photonics, Inc., Florida)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 22  ページ： 4130-4132  発行年： 2002年11月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVD法でサファイア基板(C面)と自立したGaN基板(M...

シソーラス用語： 基板 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  AlGaN ,  多重量子井戸 ,  光ルミネセンス ,  分極