強誘電メモリーの物理

AUCIELLO O; SCOTT J F; RAMESH R

文献

J-GLOBAL ID：200902141695171735 整理番号：98A0694140

強誘電メモリーの物理

The Physics of Ferroelectric Memories.

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巻： 51 号： 7 ページ： 22-27 発行年： 1998年07月
JST資料番号： D0325A ISSN： 0031-9228 CODEN： PHTOAD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

強誘電メモリーの物理と工学の発展と現状につき概観した。不揮発...

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強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 半導体集積回路

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