窒素プロファイル技術による極めて薄いゲート誘電膜

HATTANGADY S V; KRAFT R; GRIDER D T; DOUGLAS M A; BROWN G A; TINER P A; KUEHNE J W; NICOLLIAN P E; PAS M F

文献

J-GLOBAL ID：200902141816985743 整理番号：97A0572034

窒素プロファイル技術による極めて薄いゲート誘電膜

Ultrathin nitrogen-profile engineered gate dielectric films.

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HATTANGADY S V

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Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

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巻： 1996 ページ： 495-498 発行年： 1996年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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