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J-GLOBAL ID：200902141924527050   整理番号：93A0990308

GaAs MESFETICを用いた10Gbit/s 1.3μm帯LDモジュールとAPDモジュール

10Gbit/s 1.3μm strained MQW DFB-LD transmitter module and superlattice APD receiver module using GaAs MESFET IC’s.

著者 (7件)： 宮本裕 (NTT 伝送システム研) ,  萩本和男 (NTT 伝送システム研) ,  大畑正信 (NTTエレクトロニクステクノロジ) ,  香川俊明 (NTT 光エレクトロニクス研) ,  都築信頼 (NTTエレクトロニクステクノロジ) ,  恒次秀起 (NTT 境界領域研) ,  西功雄 (NTTエレクトロニクステクノロジ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 93  号： 292(OCS93 37-43)  ページ： 41-48  発行年： 1993年10月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaAs MESFET IC内蔵の10Gbit/s LDモジ...

シソーラス用語： 光通信 ,...

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分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  LD ,  モジュール ,  APD