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J-GLOBAL ID：200902141987738850   整理番号：01A0402737

電界効果スピントランジスタへ向けてのアプローチ

Approaches to spin-polarized field-effect transistor.

著者 (1件)： 新田淳作 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 70  号： 3  ページ： 296-299  発行年： 2001年03月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： スピン偏極電界効果トランジスタ(スピンFET)の動作原理と,...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： スピントランジスタ ,...

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分類 (2件)： その他の接合  (BM03088W) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• 1) 物理学会論文選集VII: 巨大磁気抵抗効果,新庄輝也,前川禎通責任編集 (1996).
• 2) T. Miyazaki and N. Tezuka: J. Magn. Mater. 139, L231 (1995).
• 3) S. Datta and B. Das: Appl. Phys. Lett. 56, 665 (1990).
• 4) G. Lommer, F. Malcher and U. Rossler: Phys. Rev. Lett. 60, 728 (1988).
• 5) E. de Andrada e Silva, G. La Rocca and F. Bassani: Phys. Rev. B55, 16293 (1997).

タイトルに関連する用語 (2件)： 電界効果 ,  スピントランジスタ