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J-GLOBAL ID：200902142237186940   整理番号：96A0855807

InGaN/AlGaN/GaN二重ヘテロ構造青色発光ダイオードにおける電流とエレクトロルミネセンスの低温研究

Low-temperature study of current and electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN double-heterostructure blue light-emitting diodes.

著者 (7件)： PERLIN P (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  OSINSKI M (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  ELISEEV P G (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  SMAGLEY V A (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  MU J (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  BANAS M (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  SARTORI P (Univ. New Mexico, New Mexico)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 12  ページ： 1680-1682  発行年： 1996年09月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記ダイオードの電気特性及び光学特性を,10~300Kの温度...

シソーラス用語： 発光ダイオード ,...

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分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaN ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  青色発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  低温 ,  研究