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J-GLOBAL ID：200902142491627485   整理番号：93A0525982

ZnSe-GaAs heterojunction parameters.

著者 (7件)： BRATINA G (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  NICOLINI R (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  SORBA L (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  VANZETTI L (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  MULA G (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  YU X (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  FRANCIOSI A (Univ. Minnesota, Minnesota, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 127  号： 1/4  ページ： 387-391  発行年： 1993年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： ZnSe ,  GaAs