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J-GLOBAL ID：200902142584973570   整理番号：94A0202852

電子サイクロトロン共鳴(ECR)水素プラズマで清浄化したGaAs基板上におけるAlGaAs/GaAs単一量子井戸の直接成長

Direct Growth of AlGaAs/GaAs single Quantum Wells on GaAs Substrates Cleaned by Electron Cyclotron Resonance (ECR) Hydrogen Plasma.

著者 (3件)： KONDO N (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa) ,  NANISHI Y (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa) ,  FUJIMOTO M (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 33  号： 1B  ページ： L91-L93  発行年： 1994年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バッファ層を用いないで標記SQWをMBE成長させた。光ルミネ...

シソーラス用語： MBE成長 ,...
準シソーラス用語： SQW【量子井戸】 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子サイクロトロン共鳴 ,  水素プラズマ ,  清浄化 ,  GaAs基板 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  単一量子井戸 ,  成長