銅フタロシアニンをベースとした高移動度有機電界効果トランジスタ

BAO Z; LOVINGER A J; DODABALAPUR A

文献

J-GLOBAL ID：200902142757355516 整理番号：97A0037803

銅フタロシアニンをベースとした高移動度有機電界効果トランジスタ

Organic field-effect transistors with high mobility based on copper phthalocyanine.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=97A0037803&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0037803&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 69 号： 20 ページ： 3066-3068 発行年： 1996年11月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

銅フタロシアニン(Cu-Pc)真空蒸着膜を半導体層として用い...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0037803&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ , 有機化合物の電気伝導

, ,

前のページに戻る