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J-GLOBAL ID：200902143059478009   整理番号：98A0798909

加熱処理した6H-SiC表面の原子及び電子構造

Atomic and electronic structures of heat treated 6H-SiC surface.

著者 (7件)： JIKIMOTO T (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  WANG J L (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  SAITO T (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  HIRAI M (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  KUSAKA M (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  IWAMI M (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  NAKATA T (Ion Engineering Res. Inst., Osaka, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 130/132  ページ： 593-597  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 950~1300°Cで加熱処理した6H-SiCの(0001)S...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 加熱処理 ,  6H-SiC ,  原子 ,  電子構造