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J-GLOBAL ID：200902143181951343   整理番号：03A0088433

SiO₂-高kスタックの劣化と破壊の理解に向けて

Towards understanding degradation and breakdown of SiO₂/high-k stacks.

著者 (9件)： KAUERAUF T (KU Leuven) ,  DEGRAEVE R (IMEC, Leuven, BEL) ,  CARTIER E (IMEC, Leuven, BEL) ,  GOVOREANU B (KU Leuven) ,  BLOMME P (KU Leuven) ,  KACZER B (IMEC, Leuven, BEL) ,  PANTISANO L (IMEC, Leuven, BEL) ,  KERBER A (IMEC, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN G (KU Leuven)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002  ページ： 521-524  発行年： 2002年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOS構造 ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiO2 ,  スタック ,  破壊 ,  理解