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J-GLOBAL ID：200902143399117329   整理番号：97A0187003

高移動度の薄膜電界効果トランジスタに応用するための可溶性のプロセス可能な位置規則性ポリ(3-ヘキシルチオフィン)

Soluble and processable regioregular poly(3-hexylthiophene) for thin film field-effect transistor applications with high mobility.

著者 (3件)： BAO Z (Lucent Technol., New Jersey) ,  DODABALAPUR A (Lucent Technol., New Jersey) ,  LOVINGER A J (Lucent Technol., New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 26  ページ： 4108-4110  発行年： 1996年12月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液注型した位置規則性ポリ(3-ヘキシルチオフィン)を用いた...

シソーラス用語： ポリチオフェン類 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高移動度 ,  薄膜 ,  電界効果トランジスタ ,  応用 ,  可溶性 ,  プロセス ,  位置規則性