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J-GLOBAL ID：200902143467452190   整理番号：00A0441397

コロイド成形法3mol%イットリア安定化正方晶ジルコニアの電気伝導率に及すシリカドープの影響

Effect of Silica Doping on the Electrical Conductivity of 3mol% Yttria-Stabilized Tetragonal Zirconia Prepared by Colloidal Processing.
著者 (3件)：
UCHIKOSHI T

UCHIKOSHI T について

(National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN)

National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN について

, 
SAKKA Y

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(National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN)

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HIRAGA K

HIRAGA K について

(National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN)

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資料名：
Journal of Electroceramics  (Journal of Electroceramics)

Journal of Electroceramics について


巻： 4  号： Supplement 1  ページ： 113-120  発行年： 1999年12月 
JST資料番号： W1123A  ISSN： 1385-3449  CODEN： JOELFJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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0~1.0wt%のSiO2をドープした...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*酸化ジルコニウム

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シリカ

シリカ について

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分類 (1件)：
分類
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セラミック・磁器の性質 
(YC03030G)

セラミック・磁器の性質 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
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コロイド

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成形法

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イットリア

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安定化

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正方晶ジルコニア

正方晶ジルコニア について

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電気伝導率

電気伝導率 について


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