He希釈グロー放電a-Si:H膜におけるダングリングボンドの光誘起アニーリング

TAKEDA K; HIKITA H; KONDO A; GANJOO A; SHIMAKAWA K; MORIGAKI K

文献

J-GLOBAL ID：200902143605643555 整理番号：99A0075135

He希釈グロー放電a-Si:H膜におけるダングリングボンドの光誘起アニーリング

Light-induced annealing of dangling bonds in He-diluted glow discharge a-Si:H films.

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資料名：
巻： 227/230 号： Pt.A ページ： 311-315 発行年： 1998年05月
JST資料番号： D0642A ISSN： 0022-3093 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

ダングリングボンドの光誘起アニーリングと,その光誘起発生を標...

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非晶質半導体の構造 , 金属・半導体のEPR

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