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J-GLOBAL ID：200902143790485669   整理番号：02A0735176

先端ゲート誘電体用にその場高速熱化学蒸着で作製した酸化ハフニウムのゲート積層

Hafnium oxide gate stack prepared by in situ rapid thermal chemical vapor deposition process for advanced gate dielectrics.

著者 (4件)： LEE S J (Univ. Texas, Texas) ,  JEON T S (Univ. Texas, Texas) ,  KWONG D L (Univ. Texas, Texas) ,  CLARK R (Schumacher, California)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 92  号： 5  ページ： 2807-2809  発行年： 2002年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記CVDにより,等価酸化膜厚(EOT)7.8Å,漏れ電流密...

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート誘電体 ,  熱化学蒸着 ,  作製 ,  酸化ハフニウム ,  ゲート