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J-GLOBAL ID：200902143884730578   整理番号：02A0642893

加熱触媒により生じた原子状水素を用いたフォトレジスト除去

Photoresist Removal using Atomic Hydrogen Generated by Heated Catalyzer.

著者 (2件)： IZUMI A (JAIST (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol.), Ishikawa, JPN) ,  MATSUMURA H (JAIST (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol.), Ishikawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 7A  ページ： 4639-4641  発行年： 2002年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 加熱タングステン触媒により発生した原子状水素を用いて,高線量...

シソーラス用語： *半導体プロセス ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• BURKMAN, D. Semicond. Int. 1981, 4, 103
• SATO, S. J. Vac. Sci. & Technol. A. 1991, 9, 2696
• MATSUMURA, M. Proc. VLSI Multilevel Interconnect Conf. 1993, 113
• PANKOVE, J. I. Hydrogen in Semiconductors. 1991
• PANKOVE, J. I. Semiconductors and Semimetals. 1991, 34

タイトルに関連する用語 (3件)： 触媒 ,  原子状水素 ,  フォトレジスト