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J-GLOBAL ID：200902143972576503   整理番号：00A0932952

4H-と6H-SiCの酸化物-基板界面に対する酸化と再酸化の効果

Effect of oxidation and reoxidation on the oxide-substrate interface of 4H- and 6H-SiC.

著者 (3件)： JERNIGAN G G (Naval Res. Lab., Washington DC) ,  STAHLBUSH R E (Naval Res. Lab., Washington DC) ,  SAKS N S (Naval Res. Lab., Washington DC)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 10  ページ： 1437-1439  発行年： 2000年09月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線光電子分光法とスパッタによる深さプロファイル測定を用いて...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 6H-SiC ,  酸化物 ,  界面 ,  酸化 ,  再酸化